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壓敏電阻的特點(diǎn)是當(dāng)加在它上面的電壓低于它的閥值'UN'時(shí)，流過它的電流極小，相當(dāng)于一只關(guān)死的閥門，當(dāng)電壓超過UN時(shí)，流過它的電流激增，相當(dāng)于閥門打開。利用這一功能，可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過電壓，保護(hù)電路免受過電壓的損害。例如：

現(xiàn)在我們家用的彩電的電源電路中就使用了氧化鋅壓敏電阻，這里使用的壓敏電阻的閥值電壓約為270V，當(dāng)電源電壓小于270V時(shí)（正常值為220V）它相當(dāng)于不導(dǎo)通，而當(dāng)電源異常，短時(shí)超過270V時(shí)，它就導(dǎo)通，將電壓限制在270V。

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為了觀察燒結(jié)成品晶粒生長情況，氣孔率，致密性等，分析元素的摻雜等對(duì)成品性能的影響，對(duì)制得的ZnO陶瓷成品斷口進(jìn)行觀測。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈現(xiàn)多樣性生長趨勢(shì)。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

～15um，且小尺寸晶粒數(shù)量大量減少，尺寸生長比較均勻；(2)晶粒形貌大多呈現(xiàn)正多邊形或圓形生長趨勢(shì)、晶粒生長堆積緊密；總之，摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結(jié)構(gòu)上看晶粒形貌規(guī)整，結(jié)構(gòu)均勻、致密，晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙；圖晶界出現(xiàn)了大量液相熔融，且晶界較寬，而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長大受限；相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻，出現(xiàn)極大和極小顆粒。總之，隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量過多時(shí)，ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會(huì)使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大，但摻雜量過多時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進(jìn)一步長大。

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